FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N - Enhancement Channel - Mode Lateral MOSFETs Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N - Channel Enhancement Mode Lateral MOSFETs Transistor Περιγραφή Αυτές οι συσκευές υψηλής ανθεκτικότητας έχουν σχεδιαστεί για χρήση σε βιομηχανικά υψηλής VSWR (συμπεριλαμβανομένων διεγερτών λέιζερ και πλάσματος), εκπομπών (αναλογικών και ψηφιακών), αεροδιαστημικής και ραδιοφώνου / γης εφαρμογές για κινητά. Πρόκειται για ασύγκριτα σχέδια εισόδου και εξόδου που επιτρέπουν ευρεία χρήση εύρους συχνοτήτων, μεταξύ 1.8 και 600 MHz. Τυπική απόδοση: VDD = 50 Παράμετροι Vdc Τιμή ● Συχνότητα (Ελάχ.) (MHz): 1.8 ● Συχνότητα (Μέγ.) (MHz): 600 ● Τάση τροφοδοσίας (Τύπος) (V): 50 ● P1dB (Τύπος) (dBm): 51.8 ● P1dB (Typ) (W): 150 ● Ισχύς εξόδου (Typ) (W) @ Επίπεδο ενδοδιαμόρφωσης στο Σήμα δοκιμής: CW @

Λεπτομέρεια

Προηγούμενος:Το FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS field-effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor

επόμενο:FMUSER Γνήσιο BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Τρανζίστορ ισχύος

Τιμή (USD)	Ποσότητα (PCS)	Ναυτιλία (USD)	Σύνολο (USD)	Μέθοδος αποστολής	Πληρωμή
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF Ισχύς τρανζίστορ LDMOS Υψηλή ανθεκτικότητα N - Λειτουργία ενίσχυσης καναλιών Πλευρικά τρανζίστορ MOSFETs

Περιγραφή

Αυτές οι συσκευές υψηλής αντοχής έχουν σχεδιαστεί για χρήση σε υψηλό VSWR βιομηχανικά (συμπεριλαμβανομένων των διεγερτών λέιζερ και πλάσματος), εκπομπών (αναλογικών και ψηφιακών), εφαρμογές αεροδιαστημικής και ραδιοφώνου / εδάφους. Είναι απαράμιλλη είσοδος και σχέδια εξόδου που επιτρέπουν ευρεία χρήση εύρους συχνοτήτων, μεταξύ 1.8 και 600 MHz.

Τυπική απόδοση: VDD = 50 Vdc

Παράμετρος αξία
● Συχνότητα (Ελάχ.) (MHz): 1.8
● Συχνότητα (Max) (MHz): 600
● Τάση τροφοδοσίας (τύπος) (V): 50
● P1dB (Τύπος) (dBm): 51.8
● P1dB (Τύπος) (W): 150
● Ισχύς εξόδου (Τύπος) (W) @ Επίπεδο διαμόρφωσης στο Σήμα δοκιμής: CW @ 150.0
● Σήμα δοκιμής: CW
● Απόδοση ισχύος (τύπος) (dB) @ f (MHz): 230 26.3 @
● Απόδοση (τύπος) (%): 72
● Θερμική αντίσταση (Spec) (℃ / W): 0.21
● Ταίριασμα: απαράμιλλος
● Κατηγορία: AB
● Τεχνολογία Die: LDMOS