Το FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS field-effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

Το FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS field-effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor Περιγραφή Το SD2941-10 είναι ένα χρυσό μεταλλοποιημένο N-channel MOS πεδίο-τρανζίστορ ισχύος, προοριζόμενο για χρήση σε Εφαρμογές μεγάλου σήματος 28 V έως 50 V dc έως 230 MHz. Προσφέρει 25% χαμηλότερο RDS (ενεργοποιημένο) από το βιομηχανικό πρότυπο, με 20% υψηλότερο PSAT από τη συσκευή SD2931-10 της ST. Το SD2941-10 στεγάζεται στο πακέτο χαμηλής θερμικής M174 χωρίς βάθρο, προσφέροντας 25% χαμηλότερη θερμική αντίσταση από το βιομηχανικό πρότυπο, καθιστώντας έτσι το "καλύτερο στην κατηγορία" τρανζίστορ για εφαρμογές ISM, όπου η αξιοπιστία και η ανθεκτικότητα είναι κρίσιμος παράγοντας . Συγκεκριμένα

Λεπτομέρεια

Προηγούμενος:Το αυθεντικό FMUSER MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

επόμενο:FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N - Enhancement Channel - Mode Lateral MOSFETs Transistor

Τιμή (USD)	Ποσότητα (PCS)	Ναυτιλία (USD)	Σύνολο (USD)	Μέθοδος αποστολής	Πληρωμή
79	1	0	79	Αεροπορική αποστολή
				Αεροπορική αποστολή

Το πρωτότυπο FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-κανάλι Εφέ πεδίου MOS Ευρυζωνικότητα Εφέ ισχύος πεδίου RF Τρανζίστορ

Περιγραφή
Το SD2941-10 είναι ένα χρυσό μεταλλικό κανάλι Ν Τρανζίστορ ισχύος εφέ πεδίου MOS, προοριζόμενο για χρήση σε εφαρμογές μεγάλου σήματος 28 V έως 50 V dc έως 230 MHz. Προσφέρει 25% χαμηλότερο RDS (on) από το βιομηχανικό πρότυπο, με 20% υψηλότερο PSAT από Συσκευή ST2931-10 ST. Το SD2941-10 είναι στεγάζεται στο χαμηλό θερμικό M174 μη βάθρο πακέτο, προσφέροντας 25% χαμηλότερη θερμική αντίσταση από το βιομηχανικό πρότυπο, καθιστώντας το έτσι Τρανζίστορ "best-in-class" για εφαρμογές ISM, όπου η αξιοπιστία και η ανθεκτικότητα είναι κρίσιμης σημασίας παράγοντας.

Προδιαγραφές

● Κατηγορία προϊόντος: Τρανζίστορ RF MOSFET
● Πολικότητα τρανζίστορ: N-Channel
● Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 20 A
● Vds - Τάση διακοπής πηγής αποστράγγισης: 130 V
● Κέρδος: 15.8 dB
● Ισχύς εξόδου: 175 W
● Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 65 C
● Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 150 C
● Στυλ στήριξης: SMD / SMT
● Συσκευασία / θήκη: M174
● Συσκευασία: Μαζική
● Διαμόρφωση: Μονό
● Ύψος: 7.11 mm
● Μήκος: 24.89 mm
● Συχνότητα λειτουργίας: 230 MHz
● Σειρά: SD2941
● Τύπος: RF Power MOSFET
● Πλάτος: 12.83 mm
● Προώθηση αγωγιμότητας - Ελάχ. 6 S
● Λειτουργία καναλιού: Βελτίωση
● Pd - Διασπορά ισχύος: 389 W
● Τύπος προϊόντος: Τρανζίστορ RF MOSFET
● Ποσότητα εργοστασίου: 25
● Υποκατηγορία: MOSFET
● Vgs - Τάση πηγής πύλης: 20 V

Χαρακτηριστικά
● Χρυσή επιμετάλλωση
● Εξαιρετική θερμική σταθερότητα
● Κοινή διαμόρφωση πηγής
● POUT = 175 W ελάχ. με κέρδος 15 dB @ 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W τύπος. με κέρδος 14 dB @ 123 MHz,
28 V
● Χαμηλό RDS (ενεργοποιημένο)
● Θερμικά βελτιωμένη συσκευασία για χαμηλότερα
● θερμοκρασίες διασταύρωσης
● Σε συμμόρφωση με το Ευρωπαϊκό 2002/95 / EC1
Οδηγιών

Τιμή (USD)	Ποσότητα (PCS)	Ναυτιλία (USD)	Σύνολο (USD)	Μέθοδος αποστολής	Πληρωμή
79	1	0	79	Αεροπορική αποστολή
				Αεροπορική αποστολή

Προηγούμενος:Το αυθεντικό FMUSER MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

επόμενο:FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N - Enhancement Channel - Mode Lateral MOSFETs Transistor

Αφήστε μήνυμα

Λίστα μηνυμάτων

Σχόλια Loading ...