FMUSER Πρωτότυπο νέο τρανζίστορ ισχύος SD2931-11 RF υψηλής απόδοσης 20V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Προμηθευτής ενιαίας μετάδοσης FM / TV

FMUSER Original New SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor Περιγραφή: Το SD2931-11 είναι ένα χρυσό επιμεταλλωμένο N-κανάλι MOS πεδίου εφέ τρανζίστορ ισχύος. Όντας ηλεκτρικά πανομοιότυπο με το τυπικό SD2931 MOSFET, προορίζεται για χρήση σε εφαρμογές μεγάλου σήματος 50 V dc έως 230 MHz. Το SD2931-11 είναι μηχανικά συμβατό με το SD2931, αλλά προσφέρει επιπλέον μια καλύτερη θερμική ικανότητα (25% χαμηλότερη θερμική αντίσταση), που αντιπροσωπεύει τα καλύτερα τρανζίστορ στην κατηγορία για εφαρμογές ISM, όπου η αξιοπιστία και η ανθεκτικότητα είναι κρίσιμοι παράγοντες. Χαρακτηριστικά: * Χρυσή επιμετάλλωση * Εξαιρετική θερμική σταθερότητα * Κοινή πηγή

Λεπτομέρεια

Προηγούμενος:FMUSER Πρωτότυπο νέο τρανζίστορ ισχύος RF BLF177 υψηλής απόδοσης 50V MOSFET Transistor

επόμενο:FMUSER Πρωτότυπο νέο τρανζίστορ MOSFET ισχύος τρανζίστορ ισχύος MRFE6VP5600H για μεταδότη FM 600w

Τιμή (USD)	Ποσότητα (PCS)	Ναυτιλία (USD)	Σύνολο (USD)	Μέθοδος αποστολής	Πληρωμή
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Αρχικό νέο Transistor υψηλής ισχύος SD2931-11 RF υψηλής απόδοσης 20V MOSFET Transistor

Περιγραφή:
Το SD2931-11 είναι χρυσό μεταλλικό N-κανάλι MOS τρανζίστορ ισχύος RF. Να εισαι ηλεκτρικά πανομοιότυπο με το πρότυπο SD2931 MOSFET, προορίζεται για χρήση σε 50 V dc large εφαρμογές σήματος έως και 230 MHz. Το SD2931-11 είναι μηχανικά συμβατό με το SD2931 αλλά προσφέρει επιπλέον ένα καλύτερο θερμικό ικανότητα (χαμηλότερη θερμική αντίσταση 25%), που αντιπροσωπεύει τα καλύτερα τρανζίστορ για την ISM εφαρμογών, όπου η αξιοπιστία και η αντοχή είναι κρίσιμους παράγοντες.

Χαρακτηριστικά:
* Χρυσό μέταλλο
* Εξαιρετική θερμική σταθερότητα
* Κοινή διαμόρφωση πηγής
* POUT = 150 W min. με κέρδος 14 dB @ 175MHz
* Θερμικά βελτιωμένη συσκευασία για χαμηλότερα
* θερμοκρασίες διασταύρωσης
* Το GFS και το VGS ταξινομούνται στη μονάδα

Προδιαγραφή:

* Σειρά: SD2931
* Κατηγορία προϊόντος: Τρανζίστορ RF MOSFET
* Τρανζίστορ πολικότητα: N-κανάλι
* Τεχνολογία: Si
* Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 20 A
* Vds - τάση κατανομής αποχέτευσης-πηγής: 125 V
* Κέρδος: 15 dB
* Ισχύς εξόδου: 150 W
* Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 65 C
* Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 200 C
* Στυλ συναρμολόγησης: Βίδα στερέωσης
* Συσκευασία: Μαζική
* Διαμόρφωση: Ενιαία Διπλή Πηγή
* Ύψος: 7.11 mm (Max)
* Μήκος: 24.89 mm (μέγιστο)
* Συχνότητα λειτουργίας: 230 MHz
* Πλάτος: 12.83 mm (μέγιστο)
* Λειτουργία καναλιού: Βελτίωση
* Pd - Απώλεια ισχύος: 389 W
* Vgs - Τάση πύλης-πηγής: 20 V