Προσθήκη αγαπημένου Ορισμός αρχικής σελίδας
Θέση:Αρχική >> Προϊόντα >> RF τρανζίστορ

τα προϊόντα της κατηγορίας

προϊόντα Ετικέτες

Fmuser τοποθεσίες

FMUSER Original New MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Power Power Module Amplification Power Power MOSFET Transistor

FMUSER Original New MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor FMUSER original new MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor σχεδιασμένο κυρίως για εφαρμογές ευρείας ζώνης - έξοδο σήματος και εφαρμογές προγράμματος οδήγησης με συχνότητες έως 450 MHz. Οι συσκευές είναι ασύγκριτες και είναι κατάλληλες για χρήση σε βιομηχανικές, ιατρικές και επιστημονικές εφαρμογές στα 6 MHz: VDD = 2150 Volts, IDQ = 10 mA, Pout = 450 Watts Pow

Λεπτομέρεια

Τιμή (USD) Ποσότητα (PCS) Ναυτιλία (USD) Σύνολο (USD) Μέθοδος αποστολής Πληρωμή
89 1 0 89 Ναυτιλία αεροπορικής αποστολής

 



FMUSER Original Νέο MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Power Amplification Module Power MOSFET Transistor






FMUSER πρωτότυπο νέο MRF6V2150NB Τρανζίστορ Ισχύς Τρανζίστορ Ισχύος MOSFETπροορίζεται κυρίως για εφαρμογές ευρείας ζώνης - έξοδο σήματος και εφαρμογές προγράμματος οδήγησηςμε συχνότητες έως 450 MHz. Οι συσκευές είναι ασύγκριτες και είναι κατάλληλες γιαχρήση σε βιομηχανικές, ιατρικές και επιστημονικές εφαρμογές



Λεπτομέρειες:


Pαριθμός τέχνης: MRF6V2150NB

Περιγραφή: Πλευρική ευρυζωνική σύνδεση RF καναλιών N-Channel Single-End MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Χαρακτηριστικά:


Τυπική απόδοση CW στα 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts
Απόδοση ισχύος: 25.5 dB
Αποδοτικότητα αποστράγγισης: 69%
Ικανότητα χειρισμού 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watts Ισχύς εξόδου
Ολοκληρωμένη ESD Προστασία
Εξαιρετική θερμική σταθερότητα
Διευκολύνει τις χειροκίνητες τεχνικές ελέγχου κέρδους, ALC και διαμόρφωσης
Πλαστική συσκευασία 225 ° C
RoHS Compliant



Γενικές παράμετροι:


Τύπος τρανζίστορ: LDMOS
Τεχνολογία: Si
Κλάδος εφαρμογών: ISM, Broadcast
Εφαρμογή: Επιστημονική, Ιατρική
CW / Pulse: CW
Συχνότητα: 10 έως 450 MHz
Ισχύς: 51.76 dBm
Ισχύς (W): 149.97 W
Ισχύς CW: 150 W
Απόδοση ισχύος (Gp): 23.5 έως 26.5 dB
Απώλεια επιστροφής εισόδου: -17 έως -3 dB
VSWR: 10.00: 1
Πολικότητα: N-Channel
Τάση τροφοδοσίας: 50 V
Τάση κατωφλίου: 1 έως 3 Vdc
Τάση διακοπής - Πηγή αποστράγγισης: 110 V
Τάση - Πύλη - Πηγή (Vgs): - 0.5 έως 12 Vdc
Αποδοτικότητα αποστράγγισης: 0.683
Ρεύμα αποστράγγισης: 450 mA
Impedance Zs: 50 Ohms
Θερμική αντίσταση: 0.24 ° C / W
Τύπος συσκευασίας: Φλάντζα
Πακέτο: ΥΠΟΘΕΣΗ 1484-04, ΣΤΥΛ 1 έως 272 WB - 4 ΠΛΑΣΤΙΚΟ
RoHS: Ναι
Θερμοκρασία λειτουργίας: 150 βαθμοί C

Θερμοκρασία αποθήκευσης: -65 έως 150 βαθμούς 



Το πακέτο περιλαμβάνει:
1x
MRF6V2150NB Τρανζίστορ ισχύος RF



 

 

Τιμή (USD) Ποσότητα (PCS) Ναυτιλία (USD) Σύνολο (USD) Μέθοδος αποστολής Πληρωμή
89 1 0 89 Ναυτιλία αεροπορικής αποστολής

 

Αφήστε μήνυμα 

Όνομα *
Ηλεκτρονική Διεύθυνση (Email) *
Τηλέφωνο Επικοινωνίας
Διεύθυνση
Κώδικας Δείτε τον κωδικό επαλήθευσης; Κάντε κλικ στο κουμπί ανανέωση!
Μήνυμα
 

Λίστα μηνυμάτων

Σχόλια Loading ...
Αρχική| Σχετικά με μας| Προϊόντα| Νέα| Λήψη| Υποστήριξη| Ανατροφοδότηση| Επικοινωνία| Υπηρεσία

Επικοινωνία: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Email: [προστασία μέσω email] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Διεύθυνση στα Αγγλικά: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., Guangzhou, China, 510620 Διεύθυνση στα κινέζικα: 广州市天河区黄埔大道西273尘