MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop προμηθευτής

MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR Περιγραφή Αυτές οι συσκευές υψηλής αντοχής, MRFE6VP5300NR1 και MRFE6VP5300GNR1, έχουν σχεδιαστεί για χρήση σε βιομηχανίες υψηλής VSWR (συμπεριλαμβανομένων διεγερτών λέιζερ και πλάσματος), σε εκπομπές (αναλογικές και ψηφιακές), αεροδιαστημικές και ραδιοφωνικές / χερσαίες εφαρμογές. Πρόκειται για ασύγκριτα σχέδια εισόδου και εξόδου που επιτρέπουν ευρεία χρήση εύρους συχνοτήτων, μεταξύ 1.8 και 600 MHz. Λειτουργίες ● Ευρεία περιοχή συχνοτήτων λειτουργίας ● Ακραία ανθεκτικότητα ● Ασύγκριτη είσοδος και έξοδος που επιτρέπουν τη χρήση ευρείας συχνότητας εύρους ● Ολοκληρωμένες βελτιώσεις σταθερότητας ● Χαμηλή θερμική αντίσταση ● Ολοκληρωμένα κυκλώματα προστασίας ESD ● Συμμόρφωση με RoHS ● In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 μονάδες, πλάτος ταινίας 44 mm, κύλινδρο 13 ιντσών. Βασικές παραμέτρους

Λεπτομέρεια

Προηγούμενος:FMUSER Original Νέο MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET

επόμενο:FMUSER Original MRF1K50H RF Power MOSFET LDMOS Transistor 1500W CW σε 50 V πάνω από 1.8-500 MHz

Τιμή (USD)	Ποσότητα (PCS)	Ναυτιλία (USD)	Σύνολο (USD)	Μέθοδος αποστολής	Πληρωμή
135	1	0	135	DHL
				DHL

MRFE6VP5300N TRANSISTOR RF POWER MOSFET

Περιγραφή

Αυτές οι συσκευές υψηλής ανθεκτικότητας, MRFE6VP5300NR1 και MRFE6VP5300GNR1, έχουν σχεδιαστεί για χρήση σε βιομηχανικές εφαρμογές υψηλής VSWR (συμπεριλαμβανομένων διεγερτών λέιζερ και πλάσματος), εκπομπών (αναλογικών και ψηφιακών), αεροδιαστημικών και ραδιοφώνου / εδάφους. Πρόκειται για ασύγκριτα σχέδια εισόδου και εξόδου που επιτρέπουν ευρεία χρήση εύρους συχνοτήτων, μεταξύ 1.8 και 600 MHz.

Χαρακτηριστικά
●Ευρύ εύρος συχνότητας λειτουργίας
●Ακραία τραχύτητα
●Ανώτατη είσοδος και έξοδος που επιτρέπουν τη χρήση ευρείας περιοχής συχνοτήτων
●Ολοκληρωμένες βελτιώσεις σταθερότητας
●Χαμηλή θερμική αντίσταση
●Ολοκληρωμένο κύκλωμα προστασίας ESD
●RoHS Compliant
●Στο Tape και Reel. R1 Suffix = Μονάδες 500, Πλάτος 44 mm, Ράμπα 13-ίντσας.

Βασικά παραμετρικά στοιχεία
●Συχνότητα (Ελάχ.) 1.8 (MHz)
●Συχνότητα (Μέγ.) 600 (MHz)
●Τάση τροφοδοσίας (τύπος) 50 (V)
●P1dB (Τύπος) 54.8 (dBm)
●P1dB (Τύπος) 300 (Π)
●Ισχύς εξόδου (Τύπος) (W) @ Επίπεδο διαμόρφωσης στο Test Signal 300.0 @ CW
●Δοκιμή σήματος CW
●Απόδοση ισχύος (τύπος) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●Απόδοση (τύπος) 70 (%)

●Θερμική αντίσταση (Spec) 0.22 (℃ / W)