Εκφωνημένες MAWs-feht. Ακρωνύμιο για το μέταλλο-οξείδιο ημιαγωγού τομέα-αποτελέσματος τρανζίστορ. Αυτά χρησιμοποιούνται σε πολλά σενάρια όπου θέλετε να μετατρέψετε τάσεις. Στη μητρική πλακέτα σας, για παράδειγμα να δημιουργήσει CPU τάσης, τάση μνήμης, AGP τάσης κ.λπ.

Τα MOSFETs χρησιμοποιούνται συνήθως σε ζεύγη. Αν δείτε έξι mosfets γύρω από την υποδοχή της CPU σας έχετε ισχύος τριών φάσεων.

Τεχνικές Πληροφορίες
MOSFETs έρχονται σε τέσσερις διαφορετικούς τύπους. Μπορούν να είναι εξάρτημα ή λειτουργία εξάντληση, και μπορεί να είναι Ν-κανάλι ή ρ-καναλιού. Για την εφαρμογή αυτή μας ενδιαφέρει μόνο σε n-channel MOSFETs λειτουργία βελτίωσης, και αυτές θα είναι οι μόνοι που μίλησαν για από τώρα και στο εξής. Υπάρχουν, επίσης, MOSFETs λογική επιπέδου και κανονική MOSFETs. Η μόνη διαφορά μεταξύ αυτών είναι η στάθμη της τάσης που απαιτείται για την πύλη.

Σε αντίθεση με διπολικά τρανζίστορ που είναι βασικά τρέχουσα γνώμονα συσκευές, MOSFETs είναι ελεγχόμενος από τάση συσκευών ισχύος. Εάν καμία θετική τάση εφαρμόζεται μεταξύ πύλης και πηγής του MOSFET είναι πάντα μη αγώγιμο. Αν εφαρμόσουμε ένα θετικό UGS τάση στην πύλη θα δημιουργήσει ένα ηλεκτροστατικό πεδίο ανάμεσα σε αυτήν και το υπόλοιπο του τρανζίστορ. Η θετική τάση πύλης θα ωθήσει μακριά τις «τρύπες» στο εσωτερικό του υποστρώματος p-τύπου και προσελκύει τα κινητά ηλεκτρόνια στις περιοχές n-τύπου κάτω από τα ηλεκτρόδια πηγής και αποχετεύσεως. Αυτό παράγει ένα στρώμα ακριβώς κάτω μονωτή της πύλης μέσω της οποίας τα ηλεκτρόνια μπορεί να μπει και να κινηθούν κατά μήκος από την πηγή για να στραγγίσει. Η θετική τάση πύλης επομένως "δημιουργεί" ένα κανάλι στο άνω στρώμα του υλικού μεταξύ οξειδίου και ρ-Si. Η αύξηση της τιμής της θετικής τάσης πύλης σπρώχνει τις τρύπες p-τύπου πιο μακριά και μεγεθύνει το πάχος του καναλιού που δημιουργείται. Ως εκ τούτου θεωρούμε ότι το μέγεθος του καναλιού που έχουμε κάνει αυξάνει με το μέγεθος της τάσης πύλη και ενισχύει ή να αυξάνει το ποσό του ρεύματος που μπορεί να πάει από την πηγή στον drain-αυτός είναι ο λόγος που αυτό το είδος των τρανζίστορ ονομάζεται ένα εξάρτημα συσκευή λειτουργία.

δοκιμή MOSFET

Πάρτε ένα πολύμετρο με μια σειρά τεστ διόδου.

Συνδέστε το μετρητή αρνητικά στην πηγή του MOSFET του.
Κρατήστε το MOSFET με την υπόθεση ή την καρτέλα αν θέλετε, δεν έχει σημασία αν αγγίξετε το μεταλλικό σώμα, αλλά προσέξτε να μην αγγίξετε τα καλώδια μέχρι να χρειαστεί να. Μην αφήνετε ένα MOSFET για να έρθει σε επαφή με τα ρούχα σας, πλαστικό ή πλαστικά προϊόντα, κλπ, λόγω των υψηλών στατικών τάσεων μπορεί να αποφέρει.
Πρώτα αγγίξει το μέτρο θετικό για την πύλη.
Τώρα μετακινήστε το θετικό ανιχνευτή μέτρο προς την αποχέτευση. Θα πρέπει να πάρετε μια μικρή ανάγνωση. πύλη χωρητικότητα του MOSFET έχει χρεωθεί από το μετρητή και η συσκευή είναι ενεργοποιημένη.

Με το μέτρο θετικό ακόμη συνδεθεί με την αποχέτευση, αγγίξτε ένα δάχτυλο μεταξύ πηγής και πύλης (και στραγγίστε αν θέλετε, δεν έχει σημασία). Η πύλη θα πρέπει να απορρίπτονται μέσω του δάχτυλό σας και η ένδειξη του μετρητή θα πρέπει να πάει ψηλά, δείχνοντας μια συσκευή μη αγώγιμο.

Προηγούμενο:Τι είναι το DRM;

επόμενο:Τι είναι οι οδηγοί MOSFET και MOSFET;

Αφήστε μήνυμα

Λίστα μηνυμάτων

Σχόλια Loading ...